丰满人妻中伦妇伦精品久久_欧美日韩国产1区2区3区_国产a一级毛片午夜剧场_精品h无遮挡在线看_性荡视频播放在线视频_成人福利短视频网站app_波多野吉衣毛片_附近约一百块钱过夜_jlzz大全高潮多水老师_国产蜜臀在线播放

LXPSEMI SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻，開(kāi)關(guān)損耗，高溫運(yùn)行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。瀾芯半導(dǎo)體碳化硅MOSFET具有750V至1700V的擴(kuò)展電壓范圍，采用先進(jìn)的工藝技術(shù)平臺(tái)，具有杰出的開(kāi)關(guān)性能和極低的單位面積導(dǎo)通電阻。

1.汽車(chē)級(jí)和工業(yè)級(jí)合格器件；

2.高結(jié)溫能力(TJ = 175°C,最高200°C)；

3.超高開(kāi)關(guān)工作頻率和極低開(kāi)關(guān)損耗；

4.低導(dǎo)通電阻；

5.柵極驅(qū)動(dòng)可兼容現(xiàn)有IC；

6.穩(wěn)定的超快速本體二極管。

瀾芯半導(dǎo)體SiC MOSFET主要特點(diǎn)包括：