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上海瀾芯半導(dǎo)體有限公司
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瀾芯IGBT芯片采用先進(jìn)的微溝槽器件結(jié)構(gòu),產(chǎn)品具有更低的導(dǎo)通壓降與更小的開關(guān)損耗。目前公司在開發(fā)的產(chǎn)品涵蓋600V~1350V電壓,適合應(yīng)用于光伏儲能逆變、直流充電樁、汽車主驅(qū)、UPS等領(lǐng)域。
IGBT產(chǎn)品
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