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瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
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?上海瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布：\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006N120AP--6mΩ, 1200V,SiCMOSFET
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祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
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瀾芯半導(dǎo)體1200V首款SiC MOSFET通過可靠性認(rèn)證
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瀾芯半導(dǎo)體1200V首款SiC MOSFET通過可靠性認(rèn)證
瀾芯半導(dǎo)體的首款SiC MOSFET產(chǎn)品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通過了1000小時175℃ 100%VDS HTRB和1000小時175...
瀾芯半導(dǎo)體的首款SiC MOSFET產(chǎn)品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通過了1000小時175℃ 100%VDS HTRB...
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650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品發(fā)布
650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品發(fā)布
650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品發(fā)布
瀾芯半導(dǎo)體正式發(fā)布了650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品 。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)，有著極低的導(dǎo)通壓降，極低的柵極電荷和超快的開關(guān)速度，可廣泛應(yīng)用于...
瀾芯半導(dǎo)體正式發(fā)布了650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品 。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)，有著極低的導(dǎo)通壓降，極低的柵極電荷和超快的開...
瀾芯半導(dǎo)體正式發(fā)布了650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品 。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)，有著極低的導(dǎo)通壓降，極低的柵極電荷...
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