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產(chǎn)品信息
SiC
LXPSEMI SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻,開(kāi)關(guān)損耗,高溫運(yùn)行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度,并使得系統(tǒng)的整體成本降低。
IGBT
瀾芯IGBT芯片采用先進(jìn)的微溝槽器件結(jié)構(gòu),產(chǎn)品具有更低的導(dǎo)通壓降與更小的開(kāi)關(guān)損耗。
SJ MOSFET
為適應(yīng)電源系統(tǒng)高效率小型化的需求,瀾芯半導(dǎo)體推出了超結(jié)高壓MOSFET, SJ MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度,可以大大提高系統(tǒng)效率、降低發(fā)熱量,還可以簡(jiǎn)化系統(tǒng)EMI設(shè)計(jì)。
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瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
?上海瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布:\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C00...
?上海瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布:\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006...
?上海瀾芯半導(dǎo)體新品發(fā)布:\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006...
2023-11-30
18:52:14
祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂(lè)部!
祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂(lè)部!
祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂(lè)部!
祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂(lè)部!
祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂(lè)部!
祝賀瀾芯半導(dǎo)體進(jìn)入SiC MOSFET 12mΩ俱樂(lè)部!
2023-11-30
18:52:10
瀾芯半導(dǎo)體1200V首款SiC MOSFET通過(guò)可靠性認(rèn)證
瀾芯半導(dǎo)體1200V首款SiC MOSFET通過(guò)可靠性認(rèn)證
瀾芯半導(dǎo)體1200V首款SiC MOSFET通過(guò)可靠性認(rèn)證
瀾芯半導(dǎo)體的首款SiC MOSFET產(chǎn)品1200V 80mΩ SiC ...
瀾芯半導(dǎo)體的首款SiC MOSFET產(chǎn)品1200V 80mΩ SiC M...
瀾芯半導(dǎo)體的首款SiC MOSFET產(chǎn)品1200V 80mΩ SiC M...
2023-11-30
18:52:05
650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品發(fā)布
650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品發(fā)布
650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品發(fā)布
瀾芯半導(dǎo)體正式發(fā)布了650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品 。該產(chǎn)品...
瀾芯半導(dǎo)體正式發(fā)布了650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品 。該產(chǎn)品采...
瀾芯半導(dǎo)體正式發(fā)布了650V 40mΩ 超結(jié)MOSFET新品 。該產(chǎn)品采...
2023-11-30
18:51:58
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