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依托多年在功率半導(dǎo)體豐富的開發(fā)經(jīng)驗和深厚的車規(guī)級功率半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用背景，歷經(jīng)半年多的時間在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通過了1000小時175℃ 100%Vds HTRB和1000小時175℃ HTGB可靠性考核。產(chǎn)品覆蓋1200V SiC MOSFET 6mΩ、12mΩ、14mΩ、30mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ等，已有眾多客戶與瀾芯建立了深度的技術(shù)交流，對于瀾芯半導(dǎo)體的技術(shù)實(shí)力給予了充分的肯定，現(xiàn)客戶群體已覆蓋光伏儲能、充電樁、新能源乘用車等行業(yè)。