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上海瀾芯半導體有限公司
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SiC MOSFET功率模塊
LXPSEMI SiC MOSFET在導通電阻,開關(guān)損耗,高溫運行和導熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度,并使得系統(tǒng)的整體成本降低。瀾芯半導體碳化硅MOSFET具有750V至1700V的擴展電壓范圍,采用先進的工藝技術(shù)平臺,具有杰出的開關(guān)性能和極低的單位面積導通電阻。
瀾芯半導體SiC MOSFET:
1.汽車級和工業(yè)級合格器件;
2.芯片結(jié)溫能力(TJ = 175°C,最高200°C);
3.超高開關(guān)工作頻率和極低開關(guān)損耗;
4.低導通電阻;
5.柵極驅(qū)動可兼容現(xiàn)有IC;
6.穩(wěn)定的超快速本體二極管。
瀾芯SiC MOSFET專為滿足汽車和工業(yè)應用的嚴格要求而設計。
瀾芯半導體SiC MOSFET主要特點包括:
1200V SiC功率模塊產(chǎn)品敬請期待!